sábado, 22 de mayo de 2010

CIRCUITO INTEGRADO DE MICROONDAS.MPC Y HMIC.BLOG 3



jueves 20 de mayo de 2010


CIRCUITO INTEGRADO DE MICROONDAS.MPC Y HMIC.

En 1951, aparece la tecnología MPC, cuyo significado se puede traducir por circuitos impresos de microondas. Se basaba en la tecnología stripline, que destaca por una línea de configuración planar y un cable coaxial modificado. Destacaban porque eran ligeros, de fácil fabricación y su producción tenía un coste barato. Su sustrato estaba hecho de teflón (PTFE).


Las diferentes aplicaciones de la tecnología se muestran a continuación:


En 1952, se crea la tecnología Microstrip, y con ella, se desarrolla otra tecnología, la HMIC, circuitos integrados de microondas híbridos. Las claves fueron el desarrollo de los transistores FET frente a los BJT, ya que eran más pequeños, se podía trabajar a más alta frecuencia e introducían menos ruido. El sustrato estaba compuesto de alúmina. Un punto a destacar es que esta tecnología posee una capa de metalización de sus conductores, líneas de transmisión y componentes discretos, como son resistencias, condensadores, inductores… pegadas al sustrato.
Las propiedades que destacan de la tecnología HMIC se pueden resumir en la siguiente lista:
  • Creación de la tecnología a una escala muy pequeña.
  • Sustratos de alta permitividad.
  • Gran nivel de integración.
  • Producción a gran escala.
Tres son los procesos que destacan a la hora de la fabricación de la tecnología HMIC:
  • Fotograbado o Thin-Film: Producción en cadena y espectro ancho.
  • Serigrafía o Thick-Film: Fabricación barata y cubre el espectro de microondas.
  • Cerámica cocida a baja temperatura o Low-Temperature Cofired Ceramic (LTCC): Multicapa, elevada integración y flexibilidad de diseño.
Las claves por las cuales esta tecnología se superpuso a las tecnologías de su época fue debido al buen comportamiento que tenía a muy altas frecuencias y la estandarización de los procesos de fabricación le dieron a esta tecnología una ventaja sobre las demás.

MOISES PINEDA 
EES SECCION 2

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